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Wolfram und Saphir
Wolframtiegel für Ofen Saphir Wachstum Wolframtiegel Abdeckung für das Kristallwachstum Ofen Wolfram Armband für Saphir Ofen Wolfram Hitzeschild für Kristallofen Wolfram-Elektroden-Bildschirm für Saphir Kristall Ofen Wolfram Heizung für Saphir Kristall Ofen Wolframdraht Heizung für Saphir Kristall Ofen Wolfram Rhenium Draht für Saphir Kristall Wachstumsofen
Molybd?n Abdeckung für Saphir Wachstumsofen
Molybd?n Barrel Bildschirm für das Kristallwachstum Ofen Molybd?n-Tiegel für Saphir Ofen Molybd?nschiffchen für Kristallofen Molybd?n Hitzeschild für Saphir Wachstumsofen Molybd?n Halterung für Das Kristallwachstum Ofen W?rmefeld für Saphir Wachstumsofen Molybd?n-W?rmeofen für Saphir Wachstum Molybd?n Elektroden Bildschirm für das Kristallwachstum Ofen Molybd?n Heizelement für Saphir Wachstumsofen Molybd?n Haken für Saphir Ofen Molybd?n Dorn für Saphirglas Ofen Molybd?n-Stream Mund für das Kristallwachstum Ofen Molybd?n Samen Stück für Saphirkristallwachstum Ofen
Fertigungstechniken aus Saphir Wachstumsofen
Herstellungsprozess von Wolfram und Molybd?n Herstellungsprozess des Molybd?n-Tiegel für Saphir Wachstumsofen Herstellungsprozess von Wolframtiegel für Saphir Wachstumsofen Molybd?nerz Auswahl Wolframerz Auswahl
Saphir
Saphir und LED Saphir und LED Geschichte des Saphir Wachstumsverfahren Kyropoulos Methode für Saphir Wachstum Czochralski Method for Sapphire Growth Rand Film gefüttert Wachstum für Saphir Wachstum Definiert W?rmetauscher Methode für Saphir Wachstum Temperaturgef?lle Technik für Saphir Wachstum Vertical Gradient Freeze Methode für Saphir Wachstum Vertikal Horizontal Gradient Einfrieren Saphir Wachstum SAPMAC for Sapphire Growth Saphir und optische Teile Saphir und Mikroelektronik Saphir und Infrarotdurchl?ssiges Material Prozess der Saphir Wachstum Vergleich von Saphir Wachstumstechniken |
Sie sehen: Zuhause >>Saphir Wachstum Method- Vertical Gradient Freeze-Methode (VGF)
Vertical Gradient Freeze-Verfahren ?hnelt dem Niveau der Schmelzzone, vor allem in der Art und Weise, den Tiegel zu bewegen, so dass ein Temperaturgradient innerhalb des geschmolzenen Metalls und dann Kristalle zu wachsen begann. Diese Methode wird von der Heizung verwendet wird, in zwei Teile geteilt, ist die Oberseite des Ofenk?rpers Heizungstemperatur h?her, niedriger Temperatur unter der Temperaturdifferenz durch die Heizung erzeugt, um die Temperaturgradienten verursacht, wodurch wachsende Kristalle. Aufgrund des Wachstumsprozesses wird die Temperatur des Heizelements konstant ist, und die Heizung von der Fest-Flüssig-Grenzfl?che des Kristallwachstums , wenn sie befestigt ist, in welchem Fall man Bridgman machen müssen, geschmolzenes Metall durch die Fest-Flüssig-Grenzfl?che bilden, die Verwendung von VGF Weise verfestigt es geschmolzenem Metall Normalform einen Einkristall. Sein Wachstum Prinzip ist wie das Bild zeigt. ![]() Die Merkmale des VGF-Verfahren sind wie folgt: 1)Die Form der Kristalle variieren k?nnen zum Züchten Profil Kristalle von der Form eines Tiegels abh?ngt; 2) Einpflanzen der Kristallwachstumsorientierung Samen k?nnen auch natürliche Nukleation sein, basierend auf den Prinzipien der Geometrie aus dem Kristallwachstum ; 3) Dieses Verfahren kann geschlossen oder halb geschlossenen Tiegel wachsen. Verhindern Verdunstung schmelzen Dotierstoff, was zu einer Zusammensetzungsabweichung und Dotierungskonzentration und kann auf die Umwelt Verschmutzung und gef?hrliche Stoffe; 4) Es ist geeignet für gro?e, eine gro?e Anzahl von Kristallen wachsen. Ein Ofen kann ein paar oder Dutzende von verschiedenen Wurzel, verschiedene Gr??en von Kristallen wachsen. 5) Betriebsproze? ist relativ einfach, leicht und Automatisierungsverfahren zu implementieren. VGF wichtigsten Nachteile, wie folgt: a) Der gesamte Prozess des Kristallwachstums innerhalb des Tiegels durchgeführt , was nicht einfach ist, das Wachstum aufgrund der unsichtbaren Material Wolfram zu beobachten. Wenn der Tiegel nicht aus Wolfram, Mo oder anderen Metallen hergestellt, aber Glas, dann w?re es anders sein. b) Verschiedene Kristalle erfordern physikalischen und chemischen Eigenschaften des Tiegel angeben. Insbesondere in den Tiegel und den thermischen Ausdehnungskoeffizienten des kristallinen Materials auf der rechten Seite übereinstimmt, w?hrend ungeeignet für das Kristallwachstum des kristallinen Materials Volumenausdehnung. c) Wolframtiegel werden betonen und parasit?ren Kristallkeimkristall w?hrend des Saphir-Wachstum zu schaffen. Daher ist das Erfordernis der inneren Oberfl?che zum Tiegel sehr hoch. d) Wenn Vertical Gradient Freeze-Methode unter Verwendung von Saphirglas zu wachsen, wird der Niedergang Tiegel nicht dreht, so dass die Qualit?t der Kristall nicht besser ist als das von Czochralski-Verfahren, indem wachsen w?chst. Wenn es eine andere Frage beziehen sich auf Wolfram und Molybd?n für Ofen Saphir Wachstum ist, k?nnen Sie uns über die folgenden Methoden zu kontaktieren. Email:sales@chinatungsten.com Tel.:+86 592 512 9696 Fax:+86 592 512 9797 |
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