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Wolfram und Saphir
Wolframtiegel für Ofen Saphir Wachstum Wolframtiegel Abdeckung für das Kristallwachstum Ofen Wolfram Armband für Saphir Ofen Wolfram Hitzeschild für Kristallofen Wolfram-Elektroden-Bildschirm für Saphir Kristall Ofen Wolfram Heizung für Saphir Kristall Ofen Wolframdraht Heizung für Saphir Kristall Ofen Wolfram Rhenium Draht für Saphir Kristall Wachstumsofen
Molybd?n Abdeckung für Saphir Wachstumsofen
Molybd?n Barrel Bildschirm für das Kristallwachstum Ofen Molybd?n-Tiegel für Saphir Ofen Molybd?nschiffchen für Kristallofen Molybd?n Hitzeschild für Saphir Wachstumsofen Molybd?n Halterung für Das Kristallwachstum Ofen W?rmefeld für Saphir Wachstumsofen Molybd?n-W?rmeofen für Saphir Wachstum Molybd?n Elektroden Bildschirm für das Kristallwachstum Ofen Molybd?n Heizelement für Saphir Wachstumsofen Molybd?n Haken für Saphir Ofen Molybd?n Dorn für Saphirglas Ofen Molybd?n-Stream Mund für das Kristallwachstum Ofen Molybd?n Samen Stück für Saphirkristallwachstum Ofen
Fertigungstechniken aus Saphir Wachstumsofen
Herstellungsprozess von Wolfram und Molybd?n Herstellungsprozess des Molybd?n-Tiegel für Saphir Wachstumsofen Herstellungsprozess von Wolframtiegel für Saphir Wachstumsofen Molybd?nerz Auswahl Wolframerz Auswahl
Saphir
Saphir und LED Saphir und LED Geschichte des Saphir Wachstumsverfahren Kyropoulos Methode für Saphir Wachstum Czochralski Method for Sapphire Growth Rand Film gefüttert Wachstum für Saphir Wachstum Definiert W?rmetauscher Methode für Saphir Wachstum Temperaturgef?lle Technik für Saphir Wachstum Vertical Gradient Freeze Methode für Saphir Wachstum Vertikal Horizontal Gradient Einfrieren Saphir Wachstum SAPMAC for Sapphire Growth Saphir und optische Teile Saphir und Mikroelektronik Saphir und Infrarotdurchl?ssiges Material Prozess der Saphir Wachstum Vergleich von Saphir Wachstumstechniken |
Sie sehen: Zuhause >>Saphir Wachstum Method-Kanten defined Film-fed Wachstum (EFG)
Die Flüssigkeit wird dünner Film genügend Rohmaterial zur Verfügung stellen und weil der Film durch die Form beschr?nkt ist, sondern füttern den Rohstoff für die Dünnschicht w?chst, daher ist das Verfahren kanten defined Film-fed Wachstum genannt. Detaillierte Beschreibung der Methoden Kristallwachstum ein erm?glicht komplizierte Form Kristalle zu erhalten, aus der Schmelze gegeben. Die variable Gestaltung Technik erm?glicht das Wachstum von Kristallen mit einem diskreten ver?ndernden Querschnitt -Konfiguration w?hrend der Kristallisation. So ist die EFG-Methode. Die Auswirkungen der W?rmeübertragung Umwelt in Kanten defined Film-fed Growth auf Schmelze / Festk?rper -Grenz Form und seitliche Dotierstoffsegregation werden durch Finite-Elemente-Analyse von zweidimensionalen Modellen für W?rme- und Stoffübertragung untersucht . Die W?rmeübertragung Konfigurationen werden untersucht , die den einheitlichen Umgebung in früheren Modellen angenommen entsprechen und auf Low- und High-Speed-Wachstum Systeme. Die maximale Wachstumsrate für eine Silizium-Platte wird berechnet und der Gültigkeitsbereich von eindimensionalen W?rmeübertragungsmodelle etabliert. Die laterale Trennung, die von Krümmung der Erstarrungsgrenzfl?che resultiert, wird für zwei gel?ste Stoffe, Bor und Aluminium errechnet. Auf diese Weise wird die W?rmeübertragung direkt auf die Gleichf?rmigkeit des Produkts Kristall verbunden.
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