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W?rmetauscher -Methode (HEM) eine Saphir-Wachstumsverfahren , das verwendet wird, um den Saphir mit gro?er Gr??e zu wachsen. Seit 1970, Schmid und Viechnicki angewendet HEM einen gro?en Saphir-Kristall zu wachsen, und die Methode ist sehr beliebt und popul?r verwendet.
Sein Grundprinzip ist es, einen W?rmetauscher anzuwenden W?rme abzuführen, so dass die Kristallwachstumsbereich einen L?ngs kalt hei?en Temperaturgradienten bilden. Durch Steuern des Volumens des Gasstroms innerhalb W?rmetauscher und die ?nderung der Erw?rmungspulver kann der Gradient gehalten werden. Dann kann der Kristall mit dem Oberteil langsam von unten wachsen. Im Anschluss ist ein Bild, das die Struktur und das Prinzip des wachsenden Methode zu zeigen.

Die Spezialit?ten der HEM Saphir-Wachstumsverfahren sind:
1)Der Temperaturgradient innerhalb W?rmetauscher ist der Schwerkraft entgegengesetzte Richtung. W?hrend Saphir wachsen, werden der Tiegel, Saphirglas und W?rmetauscher un-verschobene gehalten, so dass die Kristallwachstumsgrenzfl?che stabil ist, keine mechanische St?rung, Auftrieb Konvektion gering ist, und die Beseitigung der Kristalldefekte in mechanische Bewegung, verursacht durch sein kann verringerte sich viel.
2) Nachdem das Kristallwachstum in der hei?en Zone bleibt, kann durch einen Heliumflie?temperatur kontrolliert Kristallisations Temperaturgleichf?rmigkeit verlangsamen, reduzierten situ Glühen, die thermische Belastung von Kristallen und Kristall Cracken und Dislokation resultierenden Defekte verringern.
3) Die Fest-Flüssig-Grenzfl?che in der Schmelze Einschlüssen, bevor es die W?rme St?rung erreicht die Fest-Flüssig-Grenzfl?che verringert werden kann und sogar beseitigt werden, kann eine gleichm??ige Temperaturgradienten an der Grenzfl?che erhalten werden.
4) W?rmeaustauschverfahren am besten geeignet ist für das Wachstum von verschiedenen Formen und Gr??en von Saphirglas.
5)Vorrichtung anspruchsvollen Bedingungen, das gesamte Verfahren komplex, lang Kristallwachstumszyklus erfordert eine Menge Helium als Kühlmittel, hohe Kosten.

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