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Propriedade de tungstênio para Sapphire Crescimento Forno
propriedade molibdênio para Sapphire Forno Crescimento
Tungstênio e Sapphire
Cadinho de tungstênio para Forno Crescimento Sapphire Tampa de tungstênio Cadinho para Forno Crescimento de Cristais Suporte de tungstênio para Forno Sapphire Escudo de tungstênio de calor para forno de cristal Tela de tungstênio Eletrodo para Sapphire forno de cristal Aquecedor de tungstênio para Forno Crescimento Sapphire Aquecedor Tungsten Wire para Sapphire forno de cristal Fio de tungstênio rênio para Sapphire Forno Crescimento de Cristais
Tampa de molibdênio para Forno Crescimento Sapphire
Tela de molibdênio Barrel para Forno Crescimento de Cristais Crucible molibdênio para Forno Sapphire Barco de molibdênio para forno de cristal Escudo molibdênio calor para Sapphire Forno Crescimento Suporte de molibdênio para Forno Crescimento de Cristais Campo térmica para forno Crescimento Sapphire Forno de Aquecimento de molibdênio para o crescimento Sapphire Tela de molibdênio eletrodo para forno Crescimento de Cristais Elemento de aquecimento para o molibdênio Sapphire Forno Crescimento Molybdenum Hook for Saphhire Furnace MolybdenumMandril para Sapphire forno de cristal Boca molibdênio Stream para Forno Crescimento de Cristais Peda?o de molibdênio de sementes para Sapphire Forno Crescimento de Cristais
Técnicas de fabrica??o de Sapphire Crescimento Furnace
Processo de fabrica??o de tungstênio e molibdênio Processo de fabrica??o de molibdênio Crucible para forno de safira Crescimento Processo de fabrica??o de tungstênio cadinho para fornos de safira Crescimento Sele??o de minério de molibdênio Sele??o de minério de tungstênio
Safira
safira e LED Introdu??o à safira História da técnica de crescimento Safira Kyropoulos Method for Sapphire Growth Método Czochralski para o Crescimento Safira Borda Definido Film Crescimento Fed para o crescimento Safira Calor Método trocador para o Crescimento Safira Técnica gradiente de temperatura para o crescimento Safira Gradient Vertical método de congela??o para o Crescimento Safira congelamento gradiente horizontal vertical, para o crescimento de safira SAPMAC fou Crescimento Safira Safira e ópticos Parts Safira e Microelectronics Safira e Infravermelho Transmiss?o de materiais Processo de crescimento Safira Compara??o de técnicas de crescimento Safira |
Você está a ver: Casa >>Sapphire crescer dologia Micro-Puxando e ombro Expans?o do Centro Refrigerado (SAPMAC)
Micro-puxando e ombro expandindo no centro refrigerado é um método de crescimento de safira, que também é chamado de puxar micro rota??o Kyropoulos. A é um método melhorado com base no método Kyropoulos e Puxar Método pelo Instituto das estruturas compostas do Instituto de Tecnologia de Harbin. Ele é usado para crescer grandes cristais de tamanho. sistema de cultivo de cristal inclui sistema de controle, sistema de vácuo, o corpo de aquecimento, sistema de refrigera??o e sistemas de prote??o térmica. A seguir, uma imagem, que é um cora??o frio ombro esquema para colocar o método Czochralski rastreio do sistema, SAPMAC crescido único cristal, o panorama é geralmente em forma de pêra, cristal diametro cadinho pode crescer para mais do que o diametro interno do tamanho pequeno, de 10 de ~ 30 mm. A semente é processada em forma dividida, utilizar clipes de sementes na parte inferior do permutador de calor. Rota??o e puxando o permutador de calor pode ser conseguida de sementes fixo, cristais, e a interac??o de trocas entre o permutador de calor, de cristal e derreter. 1) Coloque através de um ombro cora??o frio, para assegurar que o tamanho grande do processo de crescimento de cristal do cristal para todo o produto final de características genéticas de uma boa, boa qualidade do material. 2) Através de controlo de energia de alta precis?o com micro-puxar, de modo a que nenhuma perturba??o térmica significativa em todo o processo de crescimento de cristais, reduziu significativamente a probabilidade de início de defeitos do que os outros métodos. 3) Uma vez que apenas rastrear puxando, reduzindo a perturba??o campo de temperatura. Adicione campo de temperatura mais uniforme, de modo a assegurar a taxa de sucesso de crescimento de cristal único. 4) Durante todo o processo de crescimento de cristais, o cristal n?o é feita cadinho, é ainda na zona quente. Ele pode controlar com precis?o a velocidade de arrefecimento, para reduzir a tens?o térmica. 5) Apropriado para o crescimento de cristais de grandes dimens?es, o material é mais do que 1,2 vezes a utiliza??o abrangente Kyropoulos lawThroughout o processo de crescimento de cristais, o cristal n?o é feita cadinho, é ainda na zona quente. Ele pode controlar com precis?o a velocidade de arrefecimento, para reduzir a tens?o térmica.. 6) Usar a água como o fluido de trabalho no interior do permutador de calor, o cristal pode ser conseguida in situ de recozimento, ciclo de ensaio curto do que os outros métodos, e de baixo custo. 7) No processo de crescimento de cristais, podemos facilmente observar o crescimento de cristais. 8) crescimento de cristal livre de superfície, o cadinho n?o é obrigatória, pode reduzir Cristais de stress. 9) pode facilmente usar a semente orienta??o desejada e o processo de "estiramento", que ajuda a taxa relativamente rápido.
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