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Sapphire Method-Edge-definido Crescimento Crescimento Film-fed (EFG)

Sapphire Method-Edge-definido Crescimento Crescimento Film-fed (EFG)

A imagem acima é para mostrar o princípio de crescimento do método de crescimento alimentado por película definido de ponta. Em primeiro lugar colocar matéria-prima para o fluido que transportado pelo cadinho de tungsténio. Aquecimento por as bobinas de aquecimento, e a fus?o da matéria-prima, em seguida, usando o molde para alisar o material sobre a superfície do molde por ac??o capilar aplicada, de modo a que uma fina película será formada. Siga em, a semente de safira é trazido para dentro do fluido, e ligado com a película fina. E a película fina vai cristalizado a mesma estrutura que a semente de safira. A semente estará puxando para cima a abrandar, e crescente desacelera??o.

O fluido irá fornecer película fina de matéria-prima suficiente e porque a película é restringido pelo molde, mas alimenta a matéria prima para o cultivo de película fina, por conseguinte, o método é chamado de crescimento Fed de película definido pelo bordo.

Descri??o detalhada dos métodos de crescimento de cristais que permitam a obten??o de cristais de forma complicada a partir do fundido é dado. A técnica de conforma??o variável permite o crescimento de cristais com uma configura??o de sec??o transversal discreta altera??o durante a cristaliza??o. Assim é o Método EFG.

Os efeitos do ambiente de transferência de calor em Film-Fed Crescimento Edge-Definido em melt forma / interface sólido e segrega??o dopante laterais s?o estudados por meio de análise de elementos finitos de modelos bidimensionais para transferência de calor e massa. configura??es de transferência de calor s?o estudados que correspondem aos ambientes uniformes assumido nos modelos anteriores e para sistemas de baixa e alta velocidade de crescimento. A taxa máxima de crescimento para uma folha de silício é calculado e o intervalo de validade de modelos de transferência de calor unidimensional é estabelecida. A segrega??o lateral que resulta da curvatura da interface de solidifica??o é calculado para duas solutos, boro e alumínio. Desta forma, a transferência de calor está directamente relacionada com a uniformidade do cristal do produto.

Se houver qualquer outra quest?o referem-se a cadinho de tungstênio para a fornalha do crescimento de safira, n?o hesite em contactar-nos através dos seguintes métodos:
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