Tungstène et le molybdène de la propriété »

Tungstène pour le saphir four de croissance  »

Procédé d'échangeur de chaleur (HEM) est un procédé de croissance en saphir, qui est utilisé pour pousser le saphir de grande taille. Depuis 1970, Schmid et Viechnicki HEM de cultiver un grand verre saphir appliquées, et la méthode est utilisée populaire et populaire.

Son principe de base est d'appliquer un échangeur de chaleur pour dissiper la chaleur, ce qui rend la région de croissance cristalline formant un chaud froid gradient de température longitudinal. En contr?lant le volume d'écoulement de gaz à l'intérieur de l'échangeur de chaleur et en changeant la poudre de chauffage, le gradient peut être maintenu. Ensuite, le cristal peut cro?tre lentement à partir du fond jusqu'à la partie supérieure. Voici une image pour montrer la structure et le principe de la méthode de croissance.

Les spécialités de la méthode de croissance de saphir HEM sont:
1) Le gradient de température à l'intérieur de l'échangeur de chaleur est opposé au sens de la gravité. Pendant le saphir de plus en plus, le creuset, saphir et échangeur de chaleur sont maintenus non-moved, de sorte que l'interface de croissance cristalline est stable, aucune perturbation mécanique, la flottabilité convection est faible, et l'élimination des défauts cristallins causés en raison de mouvement mécanique peuvent être beaucoup diminué.
2) Après la croissance cristalline reste dans la zone chaude, contr?lée par une température de départ de l'hélium peut ralentir la cristallisation uniformité de la température, recuit réduite in situ, réduire le stress thermique des cristaux et des cristaux de craquage et dislocations résultant des défauts.
3) L'interface solide-liquide dans les inclusions à l'état fondu, la perturbation de la chaleur avant qu'elle atteigne l'interface solide-liquide peut être réduite, voire éliminée, le gradient de température uniforme peut être obtenue à l'interface.
4) Méthode d'échange de chaleur est le plus approprié pour la croissance de diverses formes et dimensions de cristal de saphir.
5) Dispositif conditions, l'ensemble du complexe de processus, long cycle de croissance cristalline exigeante, nécessite beaucoup d'hélium comme fluide de refroidissement, le co?t élevé.

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